ООО Шэньчжэнь Жуйшисин Технологии
F, 9 этаж, здание Кэчуан, научно-технический инновационный парк Цюаньчжи, улица Шасун, подрайон Шацзин, район Баоань, город Шэньчжэнь
ООО Шэньчжэнь Жуйшисин Технологии
F, 9 этаж, здание Кэчуан, научно-технический инновационный парк Цюаньчжи, улица Шасун, подрайон Шацзин, район Баоань, город Шэньчжэнь
Процесс среднего микротравления RS-883 представляет собой уникальную и совершенно новую технологию, применяемую в производстве печатных плат для улучшения адгезии между сухой пленкой/фоторезистом и медным слоем.
RS-882 — это раствор для микротравления на основе органической кислоты, который создает шероховатую поверхность на меди и медных сплавах. Подходит для процессов с сухой пленкой, зеленой краской и заполнением отверстий при производстве BGA, а также может применяться для предварительной обработки перед химическим лужением и химическим никелированием с иммерсионным золотом в производстве печатных плат.
RS-855 — это микротравильный раствор на основе пероксида водорода и серной кислоты. После микротравления поверхность медной фольги становится мягкой и равномерно шероховатой, что улучшает адгезию к различным химическим покрытиям и сухим пленкам.
RS-847 представляет собой простой в эксплуатации микротравильный раствор. После микротравления медная поверхность платы приобретает ярко-белый цвет без оксидных пятен, а также усиливается адгезия паяльной маски, внутреннего слоя жидкой краски и внешнего слоя сухой пленки к плате, что способствует повышению выхода годной продукции.
ООО Шэньчжэнь Жуйшисин Технологии, основанное в 2005 году, с уставным капиталом 20 миллионов юаней, головной офис которого расположен в районе Баоань города Шэньчжэнь. Основные направления деятельности охватывают разработку, производство, продажу и предоставление комплексных решений в области специальной химической продукции для печатных плат, сопутствующей химической продукции для жидкокристаллических дисплеев, антипиренов на основе полиалюминийфосфоната, а также теплопроводящих материалов на основе алмаза/меди и других высокоэффективных электронных материалов.
